DMG1012T-7
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.1
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMG1012T-7
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.1

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Diodes(美台)
SOT-523

3000+:¥0.104

1+:¥0.13208

369

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DMG1012T-7
DIODES INCORPORATED
SOT-523

1000+:¥0.1077

100+:¥0.1746

1+:¥0.2097

82849

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DMG1012T-7
美台(DIODES)
SOT-523

30000+:¥0.11

6000+:¥0.1188

3000+:¥0.125

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100+:¥0.25

20+:¥0.4069

1847

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DIODES(美台)
SOT-523

21000+:¥0.1102

9000+:¥0.118

3000+:¥0.1324

600+:¥0.1489

200+:¥0.1766

20+:¥0.2264

149380

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DIODES(美台)
SOT-523

500+:¥0.115

150+:¥0.133

50+:¥0.141

5+:¥0.178

77121

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SOT-523-3

3000+:¥0.1258

1200+:¥0.1401

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Diodes(达尔)
SOT-523

200+:¥0.2613

80+:¥0.6655

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3天-15天
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Diodes(美台)
SOT-523-3

3000+:¥0.104

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200+:¥0.20904

1+:¥0.6292

2821

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1-3工作日
DMG1012T-7
Diodes Incorporated
SOT-523

24000+:¥0.1058

12000+:¥0.1086

6000+:¥0.1104

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180000

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5-7工作日
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Diodes Incorporated
SOT-523

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90000

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3-5工作日
DMG1012T-7
DIODES
SOT-523

5000+:¥0.1087

3000+:¥0.1185

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9278

22+
1工作日
DMG1012T-7
Diodes Incorporated
SOT-523

60000+:¥0.1104

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1500+:¥0.1133

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99999

22+
3-5工作日
DMG1012T-7
Diodes Incorporated
SOT-523

1000+:¥0.1105

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175

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5-10工作日
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Diodes Incorporated
SOT-523

1000+:¥0.3532

310300

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5-9工作日
DMG1012T-7
DIODES
SOT-523

3000+:¥0.108

1000+:¥0.1133

500+:¥0.1289

100+:¥0.1329

10+:¥0.2

1+:¥0.2257

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2228+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 630mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.74 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60.67 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 280mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523