CSD87381P
TI(德州仪器)
PTAB-5(2.5x3)
¥2.06
11,870
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 个 N 通道(半桥),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):30V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16.3 毫欧 @ 8A,8V
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CSD87381P
TI(德州仪器)
PTAB-5(2.5x3)

1000+:¥2.06

500+:¥2.18

100+:¥2.61

30+:¥3.01

10+:¥3.42

1+:¥4.23

1147

-
立即发货
CSD87381P
TI(德州仪器)
5-PTAB(3x2.5)

2500+:¥2.09

1+:¥2.18

210

22+
立即发货
CSD87381P
TI(德州仪器)
3 mm*2.5 mm

5000+:¥2.16214

1000+:¥2.19265

500+:¥2.22316

100+:¥2.2496

10+:¥2.27808

3960

2302+5
现货
CSD87381P
TI(德州仪器)
3 mm*2.5 mm

2500+:¥2.1736

1+:¥2.2672

164

22+
1-2工作日发货
CSD87381P
TI(德州仪器)
PTAB-5

500+:¥2.46

100+:¥2.65

20+:¥3.01

1+:¥3.75

6150

21+/23+
CSD87381P
TI(德州仪器)

100+:¥2.651

20+:¥3.168

165

-
3天-15天
CSD87381P
TI
[PTAB (MPC), 5]

1+:¥10.9633

74

-
现货最快4H发
CSD87381P
Texas Instruments
PTAB-5

1000+:¥1.5214

500+:¥1.6217

10+:¥1.7411

19

22+
3-6工作日
CSD87381P
Texas Instruments
PTAB-5

10000+:¥2.2323

3000+:¥2.2938

200+:¥2.3552

10+:¥2.519

76923

-
5-7工作日
CSD87381P
Texas Instruments
PTAB-5

50000+:¥2.2323

10000+:¥2.2938

1000+:¥2.3552

10+:¥2.519

19423

-
5-7工作日
CSD87381P
TEXAS INSTRUMENTS
PTAB-5

100+:¥2.485

30+:¥2.8374

10+:¥3.1963

1+:¥3.9316

14447

21+
1-3工作日
CSD87381P
Texas Instruments
PTAB-5

1000+:¥12.5776

200+:¥12.9145

10+:¥13.2514

200

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10-12工作日
CSD87381P
德州仪器(TI)
PTAB-5

25000+:¥1.9022

5000+:¥2.0535

2500+:¥2.1616

800+:¥3.0262

200+:¥4.3232

10+:¥7.036

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16.3 毫欧 @ 8A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 564pF @ 15V
功率 - 最大值 4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 5-LGA
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Philippines
封装地(城市)(ASO) TI:Angeles City, PH