CSD87330Q3D
TI(德州仪器)
LSON-8(3.3x3.3)
¥2.9694
2,242
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 个 N 通道(半桥),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):30V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A,不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA
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TI(德州仪器)
LSON-8(3.3x3.3)

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TI
[ (DQZ), 8]

100+:¥3.2017

1+:¥3.4927

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TI(德州仪器)
LSON-8(3.3x3.3)

5000+:¥4.92487

1000+:¥4.99437

500+:¥5.06386

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10+:¥5.18896

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德州仪器(TI)
LSON-8(3.3x3.3)

25000+:¥2.3045

5000+:¥2.4879

2500+:¥2.6188

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200+:¥5.2376

10+:¥8.5242

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TI(德州仪器)
8-PowerLDFN

2500+:¥3.21

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TI(德州仪器)
LSON-CLIP-8_EP

1+:¥4.3505

2

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 900pF @ 15V
功率 - 最大值 6W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerLDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Philippines External:Philippines;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Angeles City, PH External:2