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CSD25402Q3A
TI(德州仪器)
8-PowerVDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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5000+:￥1.33871 1000+:￥1.36357 500+:￥1.38843 100+:￥1.41204 10+:￥1.42945 |
1526 |
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现货
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硬之城
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8-VSON（3.3x3.3）
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2500+:￥1.5 1+:￥1.57 |
2586 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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2500+:￥1.56 1+:￥1.6328 |
2575 |
25+
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硬之城
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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2500+:￥1.56 1+:￥1.6328 |
2580 |
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硬之城
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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1000+:￥1.5778 500+:￥1.6758 100+:￥1.8522 30+:￥2.28 10+:￥2.59 1+:￥3.32 |
2349 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 76A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1790 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |