咨询/建议
CSD25402Q3A
TI(德州仪器)
8-PowerVDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(3.3x3.3)
|
5000+:￥1.33871 1000+:￥1.36357 500+:￥1.38843 100+:￥1.41204 10+:￥1.42945 |
1526 |
2229
|
现货
|
硬之城
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
8-VSON（3.3x3.3）
|
2500+:￥1.5 1+:￥1.57 |
2586 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(3.3x3.3)
|
2500+:￥1.56 1+:￥1.6328 |
2575 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(3.3x3.3)
|
2500+:￥1.56 1+:￥1.6328 |
2580 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(3.3x3.3)
|
1000+:￥1.5778 500+:￥1.6758 100+:￥1.8522 30+:￥2.28 10+:￥2.59 1+:￥3.32 |
2349 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD25402Q3A
|
TI
|
8-VSONP
|
10+:￥1.6493 1+:￥1.9404 |
386 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP8
|
500+:￥1.7526 10+:￥2.3872 1+:￥2.7692 |
145 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(3.3x3.3)
|
2500+:￥1.56 1+:￥1.6328 |
57 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD25402Q3A
|
德州仪器(TI)
|
VSONP-8(3.1x3.1)
|
25000+:￥1.65 5000+:￥1.7813 2500+:￥1.875 800+:￥2.625 200+:￥3.75 10+:￥6.1031 |
65 |
-
|
油柑网
|
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
8-PowerVDFN
|
20+:￥2.585 |
68 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
CSD25402Q3A
|
Texas Instruments
|
2000+:￥1.3675 500+:￥1.4168 10+:￥1.54 |
1668 |
22+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
Texas Instruments
|
2000+:￥1.368 500+:￥1.518 10+:￥1.7526 |
20000 |
-
|
3-7工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
500+:￥1.5057 100+:￥1.6611 30+:￥2.0503 10+:￥2.3354 1+:￥3.0681 |
628 |
24+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(3.3x3.3)
|
2500+:￥1.56 1250+:￥1.6328 100+:￥1.8824 1+:￥2.444 |
2697 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
CSD25402Q3A
|
Texas Instruments
|
12500+:￥1.596 7500+:￥1.652 2500+:￥1.708 |
10000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
Texas Instruments
|
30+:￥2.1584 10+:￥2.4607 1+:￥3.1749 |
61 |
2231+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
Texas Instruments
|
3000+:￥2.7104 2000+:￥2.783 1000+:￥2.8556 |
234843 |
-
|
10-12工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
Texas Instruments
|
1+:￥3.2762 |
837 |
-
|
10-15工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD25402Q3A
|
TI(德州仪器)
|
VDFN8
|
500+:￥1.62 100+:￥1.68 20+:￥1.725 1+:￥1.95 |
0 |
18+/19+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 76A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1790 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |