咨询/建议
CSD19533Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD19533Q5A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(5x6)
|
2500+:￥3.08 1+:￥3.22 |
2505 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
CSD19533Q5A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(5x6)
|
2500+:￥3.2032 1+:￥3.3488 |
2502 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD19533Q5A
|
德州仪器(TI)
|
VSONP-8(5x6)
|
25000+:￥3.388 5000+:￥3.6575 2500+:￥3.85 800+:￥5.39 200+:￥7.7 10+:￥12.5318 |
2505 |
-
|
油柑网
|
|
|
CSD19533Q5A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(5x6)
|
2500+:￥3.388 1250+:￥3.542 100+:￥3.894 20+:￥4.675 |
2505 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
CSD19533Q5A
|
TI(德州仪器)
|
SON-8(5x6)
|
1000+:￥3.5343 500+:￥3.6729 100+:￥4.2867 30+:￥5.04 10+:￥5.68 1+:￥6.83 |
3799 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD19533Q5A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8
|
1000+:￥11.73 100+:￥13.92 20+:￥15.87 1+:￥20.73 |
1764 |
22+
|
在芯间
|
|
|
CSD19533Q5A
|
Texas Instruments
|
1000+:￥3.08 500+:￥3.192 100+:￥3.364 10+:￥3.6 |
5000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
Texas Instruments
|
1000+:￥3.219 500+:￥3.335 100+:￥3.48 |
32500 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1000+:￥3.4359 500+:￥3.5721 100+:￥4.1701 30+:￥4.9538 10+:￥5.6004 1+:￥6.7509 |
2317 |
2444+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
Texas Instruments
|
500+:￥3.85 100+:￥4.2 50+:￥4.55 |
9000 |
22+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
Texas Instruments
|
3000+:￥6.1376 2000+:￥6.302 |
49951 |
-
|
10-12工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
Texas Instruments
|
1+:￥6.6179 |
5104 |
-
|
10-15工作日
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
Texas Instruments
|
60+:￥8.8298 36+:￥8.9782 12+:￥9.2008 |
5109 |
-
|
4周
|
云汉芯城
|
|
|
CSD19533Q5A
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8(5x6)
|
2500+:￥3.2032 1250+:￥3.3384 100+:￥3.6712 1+:￥4.4096 |
5 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
CSD19533Q5A
|
TI
|
8-VSONP
|
1+:￥4.7707 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2670 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |