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CSD18563Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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SON-8(5x6)
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500+:￥3.15 100+:￥3.66 30+:￥4.25 10+:￥4.83 1+:￥6.01 |
580 |
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立即发货
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立创商城
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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DFN-8(5.1x5.7)
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2500+:￥3.276 1+:￥3.4112 |
1880 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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VSONP8
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500+:￥3.35 100+:￥3.88 20+:￥4.46 1+:￥5.85 |
3000 |
22+/23+
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在芯间
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CSD18563Q5A
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德州仪器(TI)
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DFN-8(5.1x5.7)
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25000+:￥3.465 5000+:￥3.7406 2500+:￥3.9375 800+:￥5.5125 200+:￥7.875 10+:￥12.8166 |
1883 |
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油柑网
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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DFN-8(5.1x5.7)
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2500+:￥3.6 1+:￥3.75 |
1883 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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DFN-8(5.1x5.7)
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1250+:￥4.125 100+:￥4.532 10+:￥5.445 |
1883 |
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3天-15天
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唯样商城
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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DFN-8(5.1x5.7)
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2500+:￥3.744 1250+:￥3.9 100+:￥4.2848 1+:￥5.148 |
1903 |
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1-3工作日
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硬之城
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CSD18563Q5A
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Texas Instruments
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10000+:￥3.8033 7500+:￥3.8689 5000+:￥3.9344 2500+:￥4.0 |
2500 |
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7-9工作日
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云汉芯城
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CSD18563Q5A
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TI(德州仪器)
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2500+:￥4.032 1250+:￥4.2 100+:￥4.6144 1+:￥5.544 |
1903 |
24+
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2-5工作日
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云汉芯城
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CSD18563Q5A
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Texas Instruments
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3000+:￥4.2112 2000+:￥4.324 1000+:￥4.4368 |
2000 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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CSD18563Q5A
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Texas Instruments
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500+:￥4.2522 100+:￥4.3268 50+:￥4.4014 |
2389 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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TI
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[(DQJ), 8]
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100+:￥3.724 1+:￥4.214 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.8mOhm @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），116W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |