CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
VSON-8(5x6)
¥6.0662
7,192
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
VSON-8(5x6)

1000+:¥6.0662

500+:¥6.272

100+:¥6.7522

30+:¥8.83

10+:¥9.89

1+:¥11.57

3247

-
立即发货
CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
8-VSON-CLIP(5x6)

2500+:¥6.2

1+:¥6.42

438

24+
立即发货
CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
VSON8_6X5MM_SM

500+:¥6.2508

10+:¥9.7938

1+:¥11.4821

130

-
立即发货
CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
VSON-8(5x6)

2500+:¥6.448

1+:¥6.6768

435

24+
1-2工作日发货
CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
8-PowerTDFN

100+:¥7.403

6+:¥8.602

438

-
3天-15天
CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
VSON8

500+:¥20.01

100+:¥21.78

20+:¥24.36

1+:¥27.87

2500

21+
CSD18540Q5B
Texas Instruments

1000+:¥5.6563

500+:¥5.7498

100+:¥6.0302

27859

-
3-5工作日
CSD18540Q5B
Texas Instruments

1000+:¥5.9589

500+:¥6.3519

10+:¥6.8194

8077

-
3-6工作日
CSD18540Q5B
Texas Instruments

20000+:¥6.1247

10000+:¥6.2303

5000+:¥6.4415

2500+:¥6.5999

10000

25+
3-6工作日
CSD18540Q5B
Texas Instruments

1000+:¥6.3568

500+:¥6.6214

100+:¥7.3787

10+:¥8.3952

1+:¥10.1324

1097

2421+
1工作日
CSD18540Q5B
Texas Instruments

2500+:¥6.38

100+:¥7.2

10500

21+
7-12工作日
CSD18540Q5B
Texas Instruments

3000+:¥9.3408

2000+:¥9.591

1000+:¥9.8412

202205

-
10-12工作日
CSD18540Q5B
德州仪器(TI)
VSON-8-CLIP

25000+:¥5.9664

5000+:¥6.441

2500+:¥6.78

800+:¥9.492

200+:¥13.56

10+:¥22.0689

4

-
CSD18540Q5B
TI
8-VSON

1+:¥9.1474

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 53 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4230 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),195W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Philippines External:Philippines;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Angeles City, PH External:2