CSD18533Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)
¥2.49
6,261
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TI(德州仪器)
8-VSONP(5x6)

2500+:¥2.49

1+:¥2.6

999

25+
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TI(德州仪器)
VSONP-8

2500+:¥2.5896

1+:¥2.704

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25+
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TI(德州仪器)
VSONP8_4.9X5.75MM

500+:¥2.6633

100+:¥2.806

10+:¥3.0914

1+:¥3.2103

861

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德州仪器(TI)
VSONP-8

25000+:¥2.9297

5000+:¥3.1627

2500+:¥3.3292

800+:¥4.6609

200+:¥4.6914

10+:¥4.8244

861

-
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8-VSONP(5x6)

100+:¥3.146

20+:¥3.784

999

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3天-15天
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TI(德州仪器)
VSONP-8

5000+:¥3.60357

1000+:¥3.65442

500+:¥3.70527

100+:¥3.74934

10+:¥3.7968

679

2449
现货
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TI(德州仪器)
SON8

500+:¥77.6

100+:¥79.8

20+:¥89.0

1+:¥98.0

800

16+/19+
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TI
[(DQJ), 8]

1+:¥5.031

65

2228
现货最快4H发
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TI(德州仪器)

50000+:¥2.744

37500+:¥2.7664

2500+:¥2.7888

1250+:¥2.912

100+:¥3.2032

1+:¥3.8528

999

25+
2-5工作日
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Texas Instruments

500+:¥2.87

100+:¥2.9962

50+:¥3.3667

10+:¥3.6849

1+:¥4.1318

2201

2507+
1工作日
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TEXAS INSTRUMENTS

2500+:¥3.0435

300+:¥3.287

100+:¥3.3478

30+:¥4.0478

10+:¥4.4435

1+:¥5.1739

2500

24+
1工作日
CSD18533Q5A
Texas Instruments

500+:¥5.1528

100+:¥5.2896

10+:¥5.472

5980

22+
3-5工作日
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Texas Instruments

1250+:¥11.2517

625+:¥11.6005

3505

-
10-15工作日
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Texas Instruments

1000+:¥20.7536

500+:¥21.3095

10+:¥21.8654

200

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10-12工作日
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TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

1000+:¥3.069

500+:¥3.2472

100+:¥3.9105

30+:¥4.56

10+:¥5.17

1+:¥6.39

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.9 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2750 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),116W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) External:China
封装地(城市)(ASO) External:1