CSD17575Q3
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
¥2.0273
24,359
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

1000+:¥2.0273

500+:¥2.1534

100+:¥2.6869

30+:¥3.17

10+:¥3.58

1+:¥4.38

2400

-
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TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

5000+:¥2.40238

1000+:¥2.43628

500+:¥2.47018

100+:¥2.49956

10+:¥2.5312

574

21+
现货
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TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

2500+:¥2.97

1+:¥3.1

6862

24+
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TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

2500+:¥3.0888

1+:¥3.224

6799

24+
1-2工作日发货
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TI(德州仪器)
VSON-CLIP8

500+:¥3.1074

10+:¥3.4776

1+:¥4.2642

203

-
立即发货
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德州仪器(TI)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

25000+:¥3.267

5000+:¥3.5269

2500+:¥3.7125

800+:¥5.1975

200+:¥7.425

10+:¥12.0842

6807

-
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TI(德州仪器)
8-PowerTDFN

2500+:¥3.267

1250+:¥3.41

100+:¥3.751

20+:¥4.499

6807

-
3天-15天
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TI(德州仪器)
SON-8

30+:¥4.93

1+:¥6.04

101

20+/21+
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TI
[(DQG), 8]

1+:¥6.0368

150

-
现货最快4H发
CSD17575Q3
TI(德州仪器)
VSONP-8

500+:¥17.052

100+:¥18.096

21+:¥20.184

1+:¥22.62

518

13+
CSD17575Q3
Texas Instruments

1000+:¥1.8093

500+:¥1.8745

100+:¥1.956

14560

-
3-5工作日
CSD17575Q3
TEXAS INSTRUMENTS

100+:¥2.47

30+:¥2.8956

10+:¥3.2954

1+:¥4.0715

313

22+
1-3工作日
CSD17575Q3
Texas Instruments

10+:¥2.7

1+:¥3.0

33

2149+
1工作日
CSD17575Q3
Texas Instruments

2000+:¥2.7066

1000+:¥2.7672

100+:¥2.8283

10+:¥2.9854

500

21+
5-7工作日
CSD17575Q3
TI(德州仪器)

50000+:¥3.3264

37500+:¥3.3488

2500+:¥3.3712

1250+:¥3.5168

100+:¥3.864

1+:¥4.648

6862

24+
2-5工作日
CSD17575Q3
Texas Instruments

3000+:¥3.5168

2000+:¥3.611

1000+:¥3.7052

124000

-
10-12工作日
CSD17575Q3
Texas Instruments

1250+:¥6.2909

630+:¥6.481

10+:¥6.6869

22820

-
10-15工作日
CSD17575Q3
TI(德州仪器)

47+:¥8.1236

45+:¥8.1942

44+:¥8.3355

43+:¥8.83

142

-
6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4420 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),108W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Philippines External:Philippines;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Angeles City, PH External:2