厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
---|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
1000+:¥2.0273 500+:¥2.1534 100+:¥2.6869 30+:¥3.17 10+:¥3.58 1+:¥4.38 |
2400 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
5000+:¥2.40238 1000+:¥2.43628 500+:¥2.47018 100+:¥2.49956 10+:¥2.5312 |
574 |
21+
|
现货
|
硬之城
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
2500+:¥2.97 1+:¥3.1 |
6862 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
2500+:¥3.0888 1+:¥3.224 |
6799 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSON-CLIP8
|
500+:¥3.1074 10+:¥3.4776 1+:¥4.2642 |
203 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
CSD17575Q3
|
德州仪器(TI)
|
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
|
25000+:¥3.267 5000+:¥3.5269 2500+:¥3.7125 800+:¥5.1975 200+:¥7.425 10+:¥12.0842 |
6807 |
-
|
油柑网
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
8-PowerTDFN
|
2500+:¥3.267 1250+:¥3.41 100+:¥3.751 20+:¥4.499 |
6807 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
SON-8
|
30+:¥4.93 1+:¥6.04 |
101 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
CSD17575Q3
|
TI
|
[(DQG), 8]
|
1+:¥6.0368 |
150 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
VSONP-8
|
500+:¥17.052 100+:¥18.096 21+:¥20.184 1+:¥22.62 |
518 |
13+
|
在芯间
|
|
CSD17575Q3
|
Texas Instruments
|
1000+:¥1.8093 500+:¥1.8745 100+:¥1.956 |
14560 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
100+:¥2.47 30+:¥2.8956 10+:¥3.2954 1+:¥4.0715 |
313 |
22+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
Texas Instruments
|
10+:¥2.7 1+:¥3.0 |
33 |
2149+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
Texas Instruments
|
2000+:¥2.7066 1000+:¥2.7672 100+:¥2.8283 10+:¥2.9854 |
500 |
21+
|
5-7工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
50000+:¥3.3264 37500+:¥3.3488 2500+:¥3.3712 1250+:¥3.5168 100+:¥3.864 1+:¥4.648 |
6862 |
24+
|
2-5工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
Texas Instruments
|
3000+:¥3.5168 2000+:¥3.611 1000+:¥3.7052 |
124000 |
-
|
10-12工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
Texas Instruments
|
1250+:¥6.2909 630+:¥6.481 10+:¥6.6869 |
22820 |
-
|
10-15工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD17575Q3
|
TI(德州仪器)
|
47+:¥8.1236 45+:¥8.1942 44+:¥8.3355 43+:¥8.83 |
142 |
-
|
6-8工作日
|
云汉芯城
|
属性 | 属性值 |
---|---|
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.3 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4420 pF @ 15 V |
功率耗散(最大值) | 2.8W(Ta),108W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
属性 | 属性值 |
---|---|
晶圆地(国家/地区)(CCO) | TI:China;Japan |
晶圆地(城市)(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
封装地(国家/地区)(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
封装地(城市)(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |