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CSD17573Q5B
TI(德州仪器)
PDFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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8-VSON-CLIP（5x6）
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2500+:￥2.08 1+:￥2.17 |
353 |
22+
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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PowerTDFN-8
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2500+:￥2.1632 1+:￥2.2568 |
346 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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德州仪器(TI)
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PDFN-8(5x6)
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25000+:￥2.288 5000+:￥2.47 2500+:￥2.6 800+:￥3.64 200+:￥5.2 10+:￥8.463 |
353 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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PDFN-8(5x6)
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1000+:￥2.3226 500+:￥2.4598 100+:￥3.0576 30+:￥3.58 10+:￥4.04 1+:￥4.97 |
1422 |
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立即发货
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立创商城
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TI(德州仪器)
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8-PowerTDFN
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100+:￥2.64 20+:￥3.157 |
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3天-15天
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唯样商城
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TI
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8-VSON
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100+:￥3.9222 1+:￥4.3853 |
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2222
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现货最快4H发
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京北通宇
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TEXAS INSTRUMENTS
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1000+:￥2.2308 500+:￥2.3665 100+:￥2.9215 30+:￥3.4456 10+:￥3.8769 1+:￥4.7481 |
1245 |
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1工作日
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云汉芯城
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TI(德州仪器)
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2500+:￥2.3296 1250+:￥2.4304 100+:￥2.688 1+:￥3.2144 |
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2-5工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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100+:￥3.0704 30+:￥3.6162 10+:￥4.067 1+:￥4.9784 |
176 |
2201+
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1工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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500+:￥4.2714 100+:￥4.3848 10+:￥4.536 |
5980 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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7500+:￥4.5539 5000+:￥4.6345 2500+:￥4.836 |
2500 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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3000+:￥5.4768 2000+:￥5.6235 1000+:￥5.7702 |
20000 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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200+:￥5.814 150+:￥5.916 100+:￥6.372 50+:￥6.96 |
20000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 64 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9000 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），195W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:1 |