CSD17571Q2
TI(德州仪器)
6-WDFN 裸露焊盘
¥0.8104
8,913
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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CSD17571Q2
TI
[(DQK), 6]

1+:¥0.8104

265

2248
现货最快4H发
CSD17571Q2
TI(德州仪器)
6-SON(2x2)

3000+:¥0.851

1+:¥0.898

2775

2年内
立即发货
CSD17571Q2
TI(德州仪器)
WSON-6(2x2)

6000+:¥0.8749

3000+:¥0.9361

500+:¥1.0173

150+:¥1.2672

50+:¥1.4218

5+:¥1.8416

240

-
立即发货
CSD17571Q2
TI(德州仪器)
SON-6(2x2)

3000+:¥0.88504

1+:¥0.93392

2772

2年内
1-2工作日发货
CSD17571Q2
TI(德州仪器)
6-SON(2x2)

1500+:¥0.9878

750+:¥1.0461

100+:¥1.177

40+:¥1.463

2775

-
3天-15天
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TI(德州仪器)
WSON6

43+:¥1.173

5+:¥1.4337

43

-
立即发货
CSD17571Q2
德州仪器(TI)
WSON-6(2x2)

30000+:¥1.2903

6000+:¥1.393

3000+:¥1.4662

800+:¥2.0527

100+:¥2.9325

20+:¥2.9899

43

-
CSD17571Q2
Texas Instruments

1000+:¥0.7772

500+:¥0.812

100+:¥1.003

10+:¥1.32

42299

-
3-5工作日
CSD17571Q2
TEXAS INSTRUMENTS

1000+:¥0.8384

500+:¥1.0135

100+:¥1.1318

10+:¥1.2347

1+:¥1.5091

668

2317+
1工作日
CSD17571Q2
TI(德州仪器)
SON-6(2x2)

3000+:¥0.88504

1500+:¥0.93392

750+:¥0.98904

100+:¥1.1128

1+:¥1.3832

2875

--
1-3工作日
CSD17571Q2
TI(德州仪器)

39000+:¥0.9386

18000+:¥0.9498

3000+:¥0.9531

1500+:¥1.0058

750+:¥1.0651

100+:¥1.1984

1+:¥1.4896

2875

24+
2-5工作日
CSD17571Q2
TEXAS INSTRUMENTS

2000+:¥1.1185

300+:¥1.2079

100+:¥1.2303

30+:¥1.4875

10+:¥1.633

1+:¥1.9014

7628

22+
1工作日
CSD17571Q2
Texas Instruments

3000+:¥1.344

2000+:¥1.38

1000+:¥1.416

1795000

-
10-12工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 468 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3