停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥6.59
3967
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
ST(意法半导体)
SO-14
¥7.1856
98
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥8.01
25
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 16V
ADI(亚德诺)
SOIC-8-EP
¥5.929
788
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
RENESAS(瑞萨)
QFN-12(3x3)
¥8.8
1
电机类型 - AC,DC:ERM,LRA,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:I²C,应用:汽车,游戏,工业,移动,可穿戴
TI(德州仪器)
PFDFN-8
¥7.53
62
输出配置:半桥,应用:同步降压转换器,接口:PWM,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
VQFN-40-EP(6x6)
¥12.448
5
电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:并联,PWM,技术:NMOS
TI(德州仪器)
VQFN-32-EP(5x5)
¥5.2768
2981
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:PWM,技术:功率 MOSFET
Littelfuse(美国力特)
DIP-8
¥8.2
296
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥6.88
137
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 20V
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥7.95
38
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
ROHM(罗姆)
VQFN-32(5x5)
¥10.2245
230
电机类型 - 步进:多相,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:控制器 - 速度,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:PWM
Infineon(英飞凌)
DSO-14
¥8.84
9
驱动配置:高压侧和低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
WQFN-16-EP(3x3)
¥8.96
43
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:PWM
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥8.97
0
负载类型:MOSFET;IGBT,灌电流(IOL):2.5A,拉电流(IOH):2.5A,工作电压:10V~20V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
QFN-32-EP(5x5)
¥9.11
868
电机类型 - AC,DC:AC,感应,同步,功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:RS-232,技术:IGBT
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-28-300mil
¥9.8619
278
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥7.35
0
技术:磁耦合,通道数:1,上升/下降时间(典型值):10ns,9ns,电压 - 输出供电:10V ~ 35V,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥10.1388
140
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ST(意法半导体)
SO-24-300mil
¥11.374
64
电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),接口:并联,技术:BiCDMOS
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥9.44
58
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
HVSSOP-8
¥10.33
46
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥11.151
13
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
HTSSOP-16-EP
¥13.94
259
电机类型 - 步进:单极,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:低端(4),接口:逻辑
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥8.0892
2
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
RENESAS(瑞萨)
SOIC-8
¥11.9
46
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 14V
TOSHIBA(东芝)
HQFP-64(10x10)
¥10.9
3211
控制电压:4.5V~5.5V,电机驱动电压(Vm):4.5V~34V,输出电流:1.5A,驱动类型:双极驱动
Infineon(英飞凌)
PDIP-8
¥13.595
44
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥11.14
14
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 16V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-20-300mil
¥11.5
3450
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
SKYWORKS(思佳讯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥11.2798
48
技术:容性耦合,通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):30kV/µs(典型值),传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):60ns,40ns
ADI(亚德诺)
QFN-20-EP(3x3)
¥10.339
128
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器,输出配置:半桥(4),接口:UART
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥11.635
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥11.7445
7
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ALLEGRO(美国埃戈罗)
TSSOP-20-EP
¥9.35
35
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(2),接口:并联,技术:NMOS
ST(意法半导体)
SO-28
¥15.16
91
输出配置:半桥(3),应用:DC 电机,通用,接口:模拟,逻辑,负载类型:容性和阻性,技术:功率 MOSFET,IGBT
RENESAS(瑞萨)
SOIC-16
¥11.3
8091
驱动配置:全桥,通道类型:独立式,驱动器数:4,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8.5V ~ 15V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8-EP
¥12.694
2
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥13.51
67
技术:磁耦合,通道数:1,电压 - 隔离:3000Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):200kV/µs,脉宽失真(最大):5ns
Infineon(英飞凌)
VQFN-48
¥19.52
21
输出配置:半桥(4),应用:DC 电机,通用,接口:模拟,逻辑,PWM,SPI,导通电阻(典型值):40 欧姆,电压 - 供电:3V ~ 5.5V
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)
¥10.3302
917
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 14V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥12.6653
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
TI(德州仪器)
HTSSOP-24-EP
¥10.78
20
电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),接口:PWM,技术:功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥30.6
380
负载类型:IGBT;MOSFET,驱动通道数:1,灌电流(IOL):3.5A,拉电流(IOH):4A
Infineon(英飞凌)
HTSSOP-14-EP
¥12
1103
驱动配置:半桥,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:2.35V ~ 7V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥7.1476
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
onsemi(安森美)
SOIC-28-300mil
¥12.3414
571
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(6),接口:SPI,技术:功率 MOSFET
ADI(亚德诺)
SOT-23-6
¥11.76
2
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
¥10.66
0
技术:磁耦合,通道数:1,电压 - 隔离:5700Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):200kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):110ns,110ns
Infineon(英飞凌)
TSSOP-38
¥13.72
75
电机类型 - AC,DC:AC,同步,功能:控制器,接口:模拟,PWM,应用:家用电器,电流 - 输出:50mA