咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12pF
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：24MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±20ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：38.4MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
类型：陶瓷，频率：5 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±25ppm，频率容差：±25ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：7pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：陶瓷，频率：16 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：12pF
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V
频率：16MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF
类型：MHz 晶体，频率：50 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：4.7pF
频率：12MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF