咨询/建议
频率：25MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：11.2896MHz，工作电压：3.3V，工作电流：2.5mA，工作温度：-40℃~+85℃
频率：20MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：28.63636 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：10MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：32.768 kHz，输出：LVCMOS，电压 - 供电：1.5V ~ 3.63V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：7pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：12MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：48MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：12.288 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
频率：25MHz，频率稳定度：±100ppm，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：8 MHz，功能：待机（断电），输出：LVCMOS
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
频率：156.25MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：26.2982MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.31818MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.1383MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：30MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：16pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.598MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：15pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.31818MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF