咨询/建议
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：11.0592MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：12MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
频率：22.1184MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
频率：33.333MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±50ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：26MHz，工作电压：1.8V，频率稳定度：±30ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：7.3728MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：13.56 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：32kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V
频率：33.3333MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：20MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：48MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：18.432MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：22.1184MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：16.368MHz，频率稳定度：±500ppb，工作电压：1.7V~3.6V，工作电流：1.5mA
类型：MHz 晶体，频率：12.288 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：48 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：7pF
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：14.7456MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：7.68MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-20℃~+70℃
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：32.768 kHz，输出：LVCMOS，电压 - 供电：1.2V ~ 3.63V
频率：50MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：65.536MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：16.368MHz，频率稳定度：±1.5ppm，工作电压：1.7V~3.6V，工作电流：1.5mA
频率：100MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：35mA，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：12pF
频率：25MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：20MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：5V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：12 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
频率：6.78MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：4.5V~5.5V，工作温度：-20℃~+70℃
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：8 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
频率：156.25MHz，工作电压：2.5V，工作电流：30mA，工作温度：-40℃~+85℃
频率：122.88MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V