咨询/建议
最后售卖
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：26MHz，频率稳定度(全温)：±0.5ppm，工作电压：1.7V~3.3V，供电电流：1.5mA
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：25.000625MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：4MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：33.333MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：30.72MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：8pF
频率：3.579545MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：12MHz，工作电压：3.3V，工作电流：15mA，频率稳定度：±50ppm
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：18pF
频率：8.192MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：5mA，频率稳定度：±30ppm
频率：24MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：6MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：27MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：7.3728MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：65 kOhms
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF
频率：32.768kHz，工作电压：3.3V，工作电流：1mA，频率稳定度：±25ppm
频率：25MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.6V~3.63V
频率：29.4912MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：80MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V