咨询/建议
频率：11.0592MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：27 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：33.333MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：24.576MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：48MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：22.1184MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
频率：33.3333MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：49.152MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：66MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±50ppm
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：14.7456MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：66MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：16.384MHz，工作电压：1.6V~3.6V，工作电流：3mA，频率稳定度：±100ppm
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±30ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：50 kOhms
频率：16MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：10MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：80MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：16MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
停产
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：125 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
频率：60MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：16MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：24.576 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：25MHz，频率稳定度：±2ppm，输出模式：削峰正弦波，工作电压：3.3V