咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：4MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：6pF
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：50MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：直插晶振，频率：30MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：7pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
类型：MHz 晶体，频率：27.12 MHz，频率稳定性：±40ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：32.768kHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~5V
频率：10MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：50MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：直插晶振，频率：32kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
基本谐振器：晶体，类型：VCTCXO，频率：26 MHz，输出：削峰正弦波，电压 - 供电：1.7V ~ 3.3V
频率：8MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：16.384MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：50MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±25ppm
频率：32.768kHz，输出模式：CMOS，工作电压：1.5V~5.5V，工作电流：3uA
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF