咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±100ppm，频率容差：±100ppm，负载电容：8pF
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：200MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：7pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：7pF
晶振类型：贴片晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：156.25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.5V~3.3V
频率：200MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：38.4MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：12pF
晶振类型：直插晶振，频率：8.192MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：20MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±18ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：6pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，负载电容：8pF，等效串联电阻(ESR)：50Ω
类型：陶瓷，频率：12 MHz，频率稳定性：±0.13%，频率容差：±0.07%，特性：内置电容
频率：16.384MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：MHz 晶体，频率：40 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±15ppm，负载电容：8pF
频率：8MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：24 MHz，功能：待机（断电），输出：LVCMOS
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：200MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V