咨询/建议
频率：16MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：3.579545MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.15%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
晶振类型：贴片晶振，频率：40MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：8.192MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：5mA，频率稳定度：±30ppm
频率：50MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：6pF
频率：16MHz，常温频差：±15ppm，负载电容：8pF，频率稳定度：±25ppm
频率：26MHz，输出模式：削峰正弦波，工作电压：2.85V~3.15V，工作电流：1.5mA
频率：27MHz，工作电压：3.3V，工作电流：15mA，频率稳定度：±50ppm
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：100MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
类型：陶瓷，频率：20 MHz，频率稳定性：±0.3%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
晶振类型：贴片晶振，频率：38.4MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
类型：陶瓷，频率：16 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
类型：陶瓷，频率：12 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：30MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：9pF
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：10MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V