咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：14.31818MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.52127MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：18.432MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：36.48MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
频率：13.5732MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：33.3333MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：125MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作电压：2.5V
频率：4.433619MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
频率：45.1584MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：2MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：5MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：1.5MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：72MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
类型：MHz 晶体，频率：48 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：12.8 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：15pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：4pF，工作温度：-40℃~+125℃
频率：24MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：125 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
类型：VCO，频率：20MHz，电压 - 供电：4.75V ~ 5.25V，电流 - 供电：20 mA，工作温度：0°C ~ 70°C
频率：24.576MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±15ppm，频率容差：±15ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26.2917MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：22pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：4pF，ESR（等效串联电阻）：85 kOhms
频率：2.048MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：1.8V