咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±40ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：6pF
类型：MHz 晶体，频率：14.31818 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：12.8 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26.25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：7.6MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
频率：4.433619MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
频率：18.432MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±40ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：6pF
频率：28.63636MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：33.333MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：65.536MHz，工作电压：1.6V~3.6V，工作电流：3mA，频率稳定度：±100ppm
类型：MHz 晶体，频率：18 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：7.3728MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：14.31818MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：30 MHz，功能：待机（断电），输出：LVCMOS
晶振类型：直插晶振，频率：6MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
类型：时钟/日历，特性：警报器，EEPROM，闰年，方波输出，SRAM，TCXO/晶体，涓流充电器，存储容量：8B，时间格式：HH：MM：SS（12/24 小时），日期格式：YY-MM-DD-dd