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功能：VCO，频率：12.5GHz ~ 13.9GHz，射频类型：通用，辅助属性：4 分型，安装类型：表面贴装型
频率：40.960MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：155.52MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
频率：49.152MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：45.1584MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：49.152MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：40MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：12.288 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：29.4912 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±35ppm，频率容差：±25ppm，负载电容：20pF
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：12.288 MHz，功能：待机（断电），输出：LVCMOS
类型：MHz 晶体，频率：3.6864 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：24MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：48 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：3.579545MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：24.576MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：32.768 kHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：12pF
频率：4.9152MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：18.432 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
功能：VCO，缓冲放大器，频率：6GHz ~ 12GHz，射频类型：雷达，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：24-TFCQFN 裸露焊盘
频率：1.8432MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：28.6363MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V