咨询/建议
频率：161.1328MHz，工作电压：2.5V，工作电流：30mA，工作温度：-40℃~+85℃
频率：70.656MHz，工作电压：2.5V，工作电流：30mA，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：4 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±40ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：4pF
类型：MHz 晶体，频率：40 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：16.384 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±100ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：16.384 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±25ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：27 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
类型：MHz 晶体，频率：27 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：14.31818MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：156.25MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：190MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：20pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
类型：MHz 晶体，频率：26 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：8pF
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：8 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
停产
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±35ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：11.2896MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：37.125MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：133MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：150MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVPECL，工作电压：3.3V
频率：12.288MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±20ppm
频率：150MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
频率：45.1584MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：32.768MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：20MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：18.432MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF