咨询/建议
频率：4.096MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
频率：27MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：9pF，等效串联电阻(ESR)：60kΩ
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：16.369MHz，频率稳定度：±1.5ppm，工作电压：1.7V~3.6V，工作电流：1.5mA
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：26 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：60MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：72MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：80MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：3.3V
频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF，频率稳定度：±20ppm
基本谐振器：晶体，类型：TCXO，频率：19.44 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
晶振类型：贴片晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：125MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
类型：MHz 晶体，频率：3.579545 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：7.3728MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：3.6864 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：6.144 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：24MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：48 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：26 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
频率：28.636360MHz，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：13.52127 MHz，频率稳定性：±100ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
频率：66.666MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±15ppm，负载电容：8pF
频率：33MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：36MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
频率：156.25MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V