咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：14.31818MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：18.432MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：36.48MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：15pF
晶振类型：贴片晶振，频率：36.48MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：3.6864MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：20.16MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：156.25MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±12ppm，频率容差：±8ppm，负载电容：8pF
频率：27MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：8.192 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：48 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：18.432 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：18.432 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：1.544MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率范围：9.6GHz~10.8GHz；4.8GHz~5.4GHz，工作电压：5V，相位噪声：-110dBc/Hz，谐波：25dBc
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：80 kOhms
频率：5.5296MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：5mA，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.31818MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：24MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：25MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：2.25V~3.63V
频率：14.31818MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：20MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：50MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：19.2MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS