咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：14.31818 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
停产
类型：时钟/日历，特性：警报器，闰年，方波输出，TCXO/晶体，时间格式：HH：MM：SS（12/24 小时），日期格式：YY-MM-DD，接口：I²C，2 线串口
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：12pF
类型：MHz 晶体，频率：38.4 MHz，频率稳定性：±12ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：7pF
频率：16.384MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：14.01MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：1.8432MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：29.5MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：32.768MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：18.432MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：直插晶振，频率：13.56MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：8 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
类型：MHz 晶体，频率：24.576 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：6pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：12pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：18.432 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
频率：32.768kHz，频率稳定度：±5ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：0℃~+70℃
频率：25MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：3MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：2.5V
频率：22.5792MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：2.5V
频率：50MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：14.318MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
频率：32.768MHz，频率稳定度：±20ppm，工作电压：3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：32.768MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V