咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：22.1184 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，TTL
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF
类型：MHz 晶体，频率：26 MHz，频率稳定性：±40ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：10pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：48 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
频率：2.5MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：155.52MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：直插晶振，频率：4.194304MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.56MHz，常温频差：±15ppm，负载电容：20pF
频率：133.33MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：16.367667MHz，频率稳定度：±1.5ppm，工作电压：1.7V~3.6V，工作电流：1.5mA
频率：12.8MHz，频率稳定度：±2ppm，输出模式：削峰正弦波，工作电压：3.3V
频率：28.815MHz，频率稳定度：±100ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：52MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：2.25V~3.63V
频率：100MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：2.5V
频率：175MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：150.725MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：160MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：24.000625MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：1.8V
频率：66.667MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.25V~3.63V
频率：50MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：100 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
停产
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：12 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS