咨询/建议
频率：19.2MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：8.25MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：106.666666MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：48MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：7.5MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：20MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.6V~3.63V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：200 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
频率：27.12MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：24.576MHz，常温频差：±15ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.573255MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：148.5MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
频率：19.44MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：24.576MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：19.44MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：155.52MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：13.25311MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：29.5MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：28.6363MHz，工作电压：1.6V~3.6V，工作电流：3mA，频率稳定度：±100ppm
频率：12.288MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±20ppm
类型：MHz 晶体，频率：11.0592 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：MHz 晶体，频率：27 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：12pF
频率：70MHz，频率稳定度：±10ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：26 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS