咨询/建议
频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：27MHz，频率稳定度：±100ppm，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：28.63636MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：32MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：10MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：14.31818MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：6MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：22.1184MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：4.9152 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：16.369MHz，频率稳定度：±1.5ppm，工作电压：1.7V~3.6V，工作电流：1.5mA
频率：28.6363MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：14.31818MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：14.318MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：50 kOhms
频率：2.048MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
停产
类型：MEMS，频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF，ESR（等效串联电阻）：75 kOhms
频率：48MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：65.536MHz，频率稳定度：±20ppm，工作电压：3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：33.33MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：26 MHz，频率稳定性：±35ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：6pF
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：18.432MHz，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V，供电电流：10mA
频率：8MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：20MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：4.5V~5.5V，工作温度：-20℃~+70℃