咨询/建议
频率：13.56MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±45ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：6pF
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：4MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：48.0012MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：33MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：11.2896MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.15%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：37.125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±15ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：30 kOhms
晶振类型：贴片晶振，频率：27.12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：77.76MHz，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V，频率稳定度：±50ppm
频率：18.432MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：22.5792MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：22.5792MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：2.176MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：14.7456MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：3.579545MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：14.7456MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：5V
频率：38.4MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：3.6864MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：37.4MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：40MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：6.144MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±30ppm