咨询/建议
停产
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：20 A，电压：600 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：20 A，电压：600 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：3 A，电压：600 V，电压 - 隔离：1000Vrms
类型：IGBT，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：20A，开关频率：20kHz
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：15 A，电压：600 V，电压 - 隔离：1500Vrms
电机类型 - AC，DC：AC，同步，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），技术：IGBT，应用：家电
类型：IGBT，配置：3 相，电流：15 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2000Vrms
类型：MOSFET，配置：三相反相器，电流：3 A，电压：500 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：IGBT，配置：3 相，电流：14 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2500Vrms
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：30 A，电压：600 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：40 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2500Vrms
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：30 A，电压：650 V，电压 - 隔离：2500Vrms
类型：IGBT，配置：三相反相器，电流：15 A，电压：1.2 kV，电压 - 隔离：2500Vrms
类型：MOSFET，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：5A，隔离电压(Vrms)：1500Vrms
类型：IGBT，配置：3 相，电流：3 A，电压：600 V，电压 - 隔离：1000Vrms
类型：IGBT，配置：3 相，电流：6 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2000Vrms
类型：IGBT，配置：3 相，电流：10 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2500VDC
类型：IGBT，配置：3 相，电流：20 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2000Vrms
类型：IGBT，配置：3 相，电流：30 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2000Vrms
停产
类型：IGBT，配置：3 相，电流：20 A，电压：1.2 kV，电压 - 隔离：2500Vrms
输出配置：半桥（3），应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
输出配置：半桥（2），应用：通用，接口：逻辑，PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥，应用：AC 电机，DC 电机，DC-DC 转换器，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
类型：IGBT，配置：3 相，电流：10 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2000Vrms
停产
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：DrMOS
停产
类型：MOSFET，配置：3 相，电流：1.5 A，电压：500 V，电压 - 隔离：1500Vrms
停产
类型：MOSFET，配置：三相反相器，电流：2.2 A，电压：500 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：MOSFET，配置：3 相，电流：2 A，电压：500 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：IGBT，配置：3 相，电流：10 A，电压：600 V，电压 - 隔离：2000Vrms
类型：MOSFET，配置：3 相，电流：2 A，电压：500 V，电压 - 隔离：1500Vrms
类型：MOSFET，配置：三相反相器，电流：2 A，电压：500 V，电压 - 隔离：1000Vrms