onsemi(安森美)
27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)
¥77.43
0
类型:IGBT,配置:单相,电流:30 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2500Vrms
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)
¥113.753
22
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
onsemi(安森美)
35-PowerSSIP 模块,25 引线,成形引线
¥131.24
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
Infineon(英飞凌)
22-PowerSIP 模块,18 引线,成形引线
¥166.83
1
类型:MOSFET,配置:3 相,电流:30 A,电压:150 V,电压 - 隔离:2000Vrms
onsemi(安森美)
23-PowerSIP 模块,19 引线,成形引线
¥85.32
38
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
停产
Infineon(英飞凌)
DIP-23
¥28.36
2
电机类型 - 步进:多相,功能:驱动器,输出配置:半桥(3),技术:IGBT,应用:风扇电机驱动器
ST(意法半导体)
N2DIP-26
¥24.3467
0
电机类型 - AC,DC:AC,同步,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),技术:IGBT,应用:家电
onsemi(安森美)
26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm)
¥69.07
0
类型:IGBT,配置:3 相,电流:15 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
onsemi(安森美)
27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)
¥80.6401
0
类型:IGBT,配置:3 相,电流:30 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2500Vrms
TI(德州仪器)
VQFN-41-CLIP(5x6)
¥29.57
20
输出配置:半桥(3),应用:同步降压转换器,接口:PWM,负载类型:电感,电容性,技术:功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
PQFN-31(8x9)
¥21.4969
74
输出配置:半桥,应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
停产
Infineon(英飞凌)
DIP-23
¥35.37
1
输出配置:半桥(3),应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
Infineon(英飞凌)
PQFN-27(7x8)
¥15.415
73
输出配置:半桥,应用:AC 电机,DC 电机,DC-DC 转换器,通用,接口:逻辑,负载类型:电感,电容性,技术:功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
23-PowerSIP 模块,19 引线,成形引线
¥1063.53
340
类型:IGBT,配置:3 相,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
Infineon(英飞凌)
22-PowerSIP 模块,18 引线,成形引线
¥143.08
15
类型:IGBT,配置:3 相,电流:20 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
ST(意法半导体)
26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm)
¥38.99
10
类型:MOSFET,配置:三相反相器,电流:1 A,电压:500 V,电压 - 隔离:1000Vrms
onsemi(安森美)
39-PowerVFQFN
¥20
10
类型:MOSFET,配置:3 相,电流:108 A,电压:25 V,安装类型:表面贴装型
ST(意法半导体)
26-PowerDIP 模块(1.146",29.10mm)
¥129.47
0
类型:MOSFET,配置:三相反相器,电流:12.5 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.327",33.70mm)
¥42.06
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:30 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ST(意法半导体)
26-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)
¥56.5
1
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:8 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
Infineon(英飞凌)
PQFN-31(8x9)
¥35.92
0
输出配置:半桥,应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
ST(意法半导体)
25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm)
¥144.75
0
类型:IGBT,配置:3 相,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2500Vrms
Infineon(英飞凌)
24-PowerDIP 模块(1.028",26.10mm)
¥75.5204
11
类型:IGBT,配置:3 相,电流:20 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
停产
Infineon(英飞凌)
SOP-23-12.0mm
¥14.52
1
输出配置:半桥(3),应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
Digi-Key 停止提供
Infineon(英飞凌)
DIP-23
¥7.75
0
输出配置:半桥(3),应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
ROHM(罗姆)
HSDIP-25
¥65
0
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)
¥17.53
2
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:30 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)
¥28.21
8
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ST(意法半导体)
26-PowerSMD 模块,鸥翼
¥44.15
0
类型:MOSFET,配置:三相反相器,电流:2 A,电压:500 V,电压 - 隔离:1000Vrms
onsemi(安森美)
27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)
¥149.8
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:50 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2500Vrms
TI(德州仪器)
SON-12-EP(5x6)
¥11.0157
40
输出配置:半桥,应用:同步降压转换器,接口:PWM,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.327",33.70mm)
¥140.871
12
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:20 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ST(意法半导体)
26-PowerDIP 模块(1.146",29.10mm)
¥124.3
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:35 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
onsemi(安森美)
27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)
¥109.315
0
类型:IGBT,配置:3 相,电流:20 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2500Vrms
ST(意法半导体)
N2DIP-26
¥27.8
0
电机类型 - AC,DC:AC,同步,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),技术:IGBT,应用:家电
onsemi(安森美)
39-PowerVFQFN
¥12.1728
77
类型:MOSFET,配置:单相,电流:90 A,安装类型:表面贴装型,封装/外壳:39-PowerVFQFN
Infineon(英飞凌)
24-PowerDIP 模块(1.028",26.10mm)
¥85.08
0
类型:IGBT,配置:3 相,电流:30 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
停产
Infineon(英飞凌)
SOP-23-12.0mm
¥19.97
0
输出配置:半桥(3),应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
ST(意法半导体)
26-PowerSMD 模块,鸥翼
¥64.8
10
类型:MOSFET,配置:三相反相器,电流:1 A,电压:500 V,电压 - 隔离:1000Vrms
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.327",33.70mm)
¥14.29
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:15 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)
¥14.07
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:15 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ST(意法半导体)
26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm)
¥26.9
0
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:6 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
Infineon(英飞凌)
PQFN-36L(12x12)
¥34.5
0
输出配置:半桥(3),应用:AC 电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:UMOS
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.327",33.70mm)
¥117.806
60
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:15 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ROHM(罗姆)
25-PowerDIP 模块(1.327",33.70mm)
¥106.93
11
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms
ST(意法半导体)
26-PowerSMD 模块,鸥翼
¥36.3009
10
类型:MOSFET,配置:三相反相器,电流:1 A,电压:500 V,电压 - 隔离:1000Vrms
ST(意法半导体)
-
¥23.919
0
Infineon(英飞凌)
23-PowerSIP 模块,19 引线,成形引线
¥139.7
0
类型:IGBT,配置:3 相,电流:10 A,电压:600 V,电压 - 隔离:2000Vrms
Infineon(英飞凌)
DIP-24
¥25.6
2800
类型:IGBT,漏源电压(Vdss):600V,连续漏极电流(Id):10A,开关频率:15kHz
ST(意法半导体)
26-PowerDIP 模块(1.146",29.10mm)
¥97.28
5
类型:IGBT,配置:三相反相器,电流:12 A,电压:600 V,电压 - 隔离:1500Vrms