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PDTA113EMB,315
Nexperia(安世)
SOT-883-3
数字晶体管
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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PDTA113EMB,315
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Nexperia(安世)
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SOT-883-3
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1000+:￥0.0991 500+:￥0.1059 100+:￥0.1185 30+:￥0.1331 10+:￥0.1573 1+:￥0.201 |
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立创商城
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PDTA113EMB,315
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Nexperia(安世)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.209 1+:￥0.228 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 1 kOhms |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 40mA，5V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 1.5mA，30mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁 | 180 MHz |
| 功率 - 最大值 | 250 mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |