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晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：22 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：820 @ 50mA，5V
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：187mW，直流电流增益(hFE)：80@5.0mA,10V
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
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晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：20@5mA,10V
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧，10 千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，1.5A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，65V，电阻器 - 基极 (R1)：22 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：22 千欧
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 20mA，5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
数量：1个NPN-预偏置，集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW
数量：1个PNP-预偏置，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：68@5mA,5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 发射极 (R2)：100 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：82 @ 5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：256mW，直流电流增益(hFE)：80@5.0mA,10V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
数量：1个PNP-预偏置，集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：246mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：100@1mA,5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：20@10mA,5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：70mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：68@5mA,5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：30mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：68@5mA,5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
不适用于新设计
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：20@20mA,5V，最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA,300mV
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1mA，5V
数量：1个NPN-预偏置，集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW