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DDTD113EC-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
数字晶体管
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DDTD113EC-7-F
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.3486 500+:￥0.3634 150+:￥0.3819 50+:￥0.4065 5+:￥0.4557 |
5060 |
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立创商城
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DDTD113EC-7-F
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.244 1+:￥0.276 |
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圣禾堂
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DDTD113EC-7-F
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.2684 6000+:￥0.2898 3000+:￥0.305 800+:￥0.427 200+:￥0.61 10+:￥0.9928 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 1 kOhms |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 33 @ 50mA，5V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200 MHz |
| 功率 - 最大值 | 200 mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |