咨询/建议
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：2µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 1mA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：250nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：67 @ 1mA，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：2 PNP（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：4A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：500 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 10mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 35mA，700mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 6mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：8A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：1.75W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：12A，集射极击穿电压(Vceo)：410V，耗散功率(Pd)：80W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：235mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：10W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：4.1V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：10.5GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.65dB @ 900MHz，增益：20dB
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：245mV @ 225mA，4.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：10 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：230 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 800mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：5µA（ICBO）
集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：1000@1mA,5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：200@1mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：420@2mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW