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MJD45H11-1G
onsemi(安森美)
TO-251(IPAK)
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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MJD45H11-1G
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onsemi(安森美)
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TO-251(IPAK)
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975+:￥1.95 525+:￥2.07 75+:￥2.31 30+:￥2.74 10+:￥3.14 1+:￥3.94 |
164 |
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MJD45H11-1G
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ON(安森美)
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IPAK
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100+:￥1.9982 30+:￥2.1146 10+:￥2.1534 1+:￥2.3474 |
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24000+:￥2.337 12000+:￥2.378 6000+:￥2.419 3000+:￥2.5625 |
6000 |
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9000+:￥3.5847 6000+:￥3.6416 3000+:￥3.6985 |
15000 |
24+
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On Semiconductor/Fairchild
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15+:￥4.6102 |
315 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 功率 - 最大值 | 1.75 W |
| 频率 - 跃迁 | 90MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |