BCP56-16T3G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.86229
1,216
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCP56-16T3G
onsemi(安森美)
SOT-223

4000+:¥0.8623

2500+:¥0.9201

500+:¥1.0163

150+:¥1.2448

50+:¥1.4198

5+:¥1.8279

1205

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BCP56-16T3G
ON(安森美)
SOT-223

11+:¥1.7372

1+:¥1.7548

11

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BCP56-16T3G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

150+:¥1.7135

90+:¥1.888

30+:¥2.076

12111

-
14-18工作日
BCP56-16T3G
安森美(onsemi)
SOT-223

40000+:¥0.6169

8000+:¥0.666

4000+:¥0.701

1000+:¥0.9814

300+:¥1.402

10+:¥2.2818

0

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BCP56-16T3G
ON(安森美)
SOT-223

4000+:¥0.95

1+:¥1.0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA