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SBCW66GLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SBCW66GLT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23 (TO-236)
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1+:￥0.7321 |
188 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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SBCW66GLT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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150+:￥0.8363 50+:￥0.8503 5+:￥0.8712 |
10 |
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立即发货
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立创商城
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SBCW66GLT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23-3
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150+:￥1.0461 50+:￥1.2553 5+:￥1.883 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 800 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 700mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20nA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 160 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |