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2SD1628G-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89-3
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 60mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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2SD1628G-TD-E
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT
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81629+:￥3.2868 |
81629 |
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5-10工作日
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云汉芯城
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2SD1628G-TD-E
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT
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12000+:￥4.0764 8000+:￥4.0764 4000+:￥4.0764 |
4000 |
22+
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4-7工作日
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云汉芯城
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2SD1628G-TD-E
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onsemi(安森美)
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SOT-89-3
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7000+:￥1.3829 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 20 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 60mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 500 mW |
| 频率 - 跃迁 | 120MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |