咨询/建议
核心处理器：ARM920T，内核规格：16/32-位，速度：180MHz，连接能力：EBI/EMI，以太网，I²C，存储卡，SPI，SSC，UART/USART，USB，外设：POR
核心处理器：dsPIC，内核规格：16 位，速度：30 MIP，连接能力：CANbus，I²C，SPI，UART/USART，I/O 数：68
核心处理器：ARM7®，内核规格：16/32-位，速度：72MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，Microwire，存储卡，SPI，SSI，SP，ART/USART，USB，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
不适用于新设计
核心处理器：8051，内核规格：8 位，速度：25MHz，连接能力：EBI/EMI，SMBus（2 线/I²C），SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT
类型：定点，接口：SPI，SSP，UART，时钟速率：400MHz，非易失性存储器：ROM（1kB），片载 RAM：84kB
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：106，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
核心处理器：ARM® Cortex®-M7，内核规格：32-位，速度：280MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7，内核规格：32 位双核，速度：240MHz，480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：90MHz，连接能力：CANbus，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M4，内核规格：32 位单核，速度：120MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD，SAI，SPI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
核心处理器：ARM® Cortex®-M4，内核规格：32 位单核，速度：80MHz，连接能力：CANbus，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，LCD，PWM，WDT
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：88，电压 - 供电：1.2V
核心处理器：ARM® Cortex®-M4，内核规格：32 位单核，速度：180MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：MSP430 CPUXV2，内核规格：16 位，速度：25MHz，连接能力：I²C，IrDA，LINbus，SCI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M3，内核规格：32 位单核，速度：120MHz，连接能力：CANbus，以太网，I²C，IrDA，LINbus，存储卡，SPI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：200MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，McBSP，SCI，SPI，uPP，UART/USART，USB，外设：DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-R52，内核数/总线宽度：1 核，32 位，速度：300MHz， 400MHz，协处理器/DSP：多媒体；NEON™ SIMD，图形加速：无
核心处理器：ARM® Cortex®-M4，内核规格：32 位单核，速度：180MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，SAI，SDIO，SPI，UART/USART，USB，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
应用：工业级，核心处理器：臂杆，程序存储器类型：RAM，接口：以太网，I²C，SPI，I/O 数：48
不适用于新设计
核心处理器：HCS12X，内核规格：16 位，速度：80MHz，连接能力：CANbus，I²C，SCI，SPI，外设：LVD，POR，PWM，WDT
核心处理器：AVR，内核规格：8 位，速度：8MHz，连接能力：EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x/ARM® Cortex®-M3，内核规格：32 位双核，速度：100MHz/150MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB，SB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：178，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：150MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART，外设：DMA，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：645，逻辑元件/单元数：10320，总 RAM 位数：423936，I/O 数：176，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：392，逻辑元件/单元数：6272，总 RAM 位数：276480，I/O 数：176，电压 - 供电：1.2V
LAB/CLB 数：1803，逻辑元件/单元数：28848，总 RAM 位数：608256，I/O 数：532，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
核心处理器：MIPS32® M-Class，内核规格：32 位单核，速度：200MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，PMP，SPI，SQI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：335，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
核心处理器：ARM® Cortex®-M7，内核规格：32 位单核，速度：216MHz，连接能力：CANbus，以太网，HDMI-CEC，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD，SAI，SPDIFRX，SPI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：150MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART，外设：DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：MIPS32® M-Class，内核规格：32 位单核，速度：200MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，PMP，SPI，SQI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-R4F，内核规格：32 位双核，速度：180MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，FlexRay，I²C，LINbus，MibSPI，SPI，CI，ART/USART，外设：DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：8052，内核规格：8 位，速度：12.58MHz，连接能力：EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART，外设：POR，PSM，温度传感器，WDT
LAB/CLB 数：150，逻辑元件/单元数：1200，总 RAM 位数：9421，I/O 数：113，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V
核心处理器：ARM® Cortex®-A9，内核数/总线宽度：2 核，32 位，速度：1.0GHz，协处理器/DSP：多媒体；NEON™ SIMD，RAM 控制器：LPDDR2，LVDDR3，DDR3
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：256KB，外设：DMA，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：178，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
核心处理器：AVR，内核规格：8 位，速度：8MHz，连接能力：EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7，内核规格：32 位双核，速度：240MHz，480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
类型：定点/浮点，接口：CAN，I²C，SPI，SPORT，UART/USART，时钟速率：1GHz，非易失性存储器：外部，片载 RAM：1.625MB
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7，内核规格：32 位双核，速度：240MHz，480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT