咨询/建议
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：60MHz，连接能力：CANbus，I²C，LINbus，SCI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M3，内核规格：32 位单核，速度：120MHz，连接能力：CANbus，以太网，I²C，IrDA，LINbus，存储卡，SPI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M4F，内核规格：32 位单核，速度：170MHz，连接能力：CANbus，I²C，IrDA，LINbus，QSPI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
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类型：RFID 阅读器，频率：13.56MHz，标准：ISO 14443，MIFARE，接口：SPI，电压 - 供电：5V
核心处理器：ARM® Cortex®-M33，内核规格：32 位单核，速度：150MHz，连接能力：Flexcomm，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+，内核规格：32 位单核，速度：48MHz，连接能力：I²C，LINbus，SPI，UART/USART，USB，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：715，逻辑元件/单元数：9152，总 RAM 位数：589824，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：160，宏单元数：128
LAB/CLB 数：264，逻辑元件/单元数：2112，总 RAM 位数：75776，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
核心处理器：AVR，内核规格：8 位，速度：16MHz，连接能力：I²C，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+，内核规格：32 位单核，速度：48MHz，连接能力：CANbus，I²C，LINbus，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，WDT
核心处理器：PIC，内核规格：8 位，速度：48MHz，连接能力：I²C，SPI，UART/USART，USB，外设：欠压检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：100MHz，连接能力：CANbus，I²C，LINbus，SCI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：AVR，内核规格：8/16-位，速度：32MHz，连接能力：EBI/EMI，I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：dsPIC，内核规格：16 位，速度：40 MIP，连接能力：CANbus，I²C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，QEI，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-A8，内核数/总线宽度：1 核，32 位，速度：600MHz，协处理器/DSP：多媒体；NEON™ SIMD，RAM 控制器：LPDDR，DDR2，DDR3，DDR3L
核心处理器：ARM® Cortex®-M4F，内核规格：32 位单核，速度：170MHz，连接能力：CANbus，I²C，IrDA，LINbus，QSPI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+，内核规格：32 位单核，速度：48MHz，连接能力：CANbus，I²C，LINbus，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M7，内核规格：32 位单核，速度：600MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SAI，SPDIF，SPI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M3，内核规格：32 位单核，速度：26MHz，连接能力：I²C，SPI，UART/USART，外设：DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M33，内核规格：32-位，速度：160MHz，连接能力：CANbus，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，SAI，SmartCard，SPDIF，SPI，UART/USART，USB，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，电机控制 PWM，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：200MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，McBSP，SCI，SPI，uPP，UART/USART，USB，外设：DMA，POR，PWM，WDT
核心处理器：PIC，内核规格：16 位，速度：32MHz，连接能力：I²C，PMP，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT
核心处理器：C28x，内核规格：32 位单核，速度：90MHz，连接能力：CANbus，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
核心处理器：8052，内核规格：8 位，速度：16.78MHz，连接能力：I²C，SPI，UART/USART，外设：DMA，PSM，PWM，温度传感器，WDT
核心处理器：ARM® Cortex®-M7，内核规格：32 位单核，速度：480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：114，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
类型：Sigma，接口：I²C，SPI，时钟速率：294.912MHz，非易失性存储器：ROM（96kB），片载 RAM：320kB
核心处理器：ARM® Cortex®-M4/M7，内核规格：32 位双核，速度：240MHz，480MHz，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，MDIO，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG，外设：欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
逻辑单元数：39600，逻辑阵列块数量：2475，内嵌式块RAM(eRAM)：1161216bit，工作温度：-40℃~+100℃
停产
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
核心处理器：AVR，内核规格：8 位，速度：16MHz，连接能力：I²C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：STM8，内核规格：8 位，速度：16MHz，连接能力：I²C，IrDA，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，DMA，IR，LCD，POR，PWM，WDT
核心处理器：PIC，内核规格：8 位，速度：32MHz，连接能力：I²C，LINbus，SPI，UART/USART，外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
核心处理器：STM8，内核规格：8 位，速度：16MHz，连接能力：I²C，SPI，UART/USART，外设：DMA，IR，POR，PWM，WDT
CPU内核：51系列，CPU最大主频：35MHz，程序存储容量：16KB，程序存储器类型：FLASH