FORESEE(江波龙)
FBGA-96
¥26.208
1751
SAMSUNG(三星)
200-TFBGA
¥48.5
256
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,存储容量:8Gb,存储器组织:256M x 32,存储器接口:并联
micron(镁光)
FBGA-96
¥66.25
16
SK hynix(海力士)
-
¥50.72
17
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥64.13
176
FORESEE(江波龙)
FBGA-96
¥22.55
99
SK hynix(海力士)
FBGA-96
¥109.71
75
存储容量:16Gbit,工作电压:1.14V~1.26V
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥12.7
4520
存储容量:2Gbit,工作电压:1.35V,工作温度:-40℃~+95℃
FORESEE(江波龙)
FBGA-96
¥16.23
84
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
TFSOP-86-10.2mm
¥25.284
790
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM,存储容量:256Mb,存储器组织:8M x 32
FORESEE(江波龙)
FBGA-96
¥10.545
38
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥59.72
73
Infineon(英飞凌)
VBGA-24
¥12.48
4
存储器类型:易失,存储器格式:PSRAM,技术:PSRAM(伪 SRAM),存储容量:64Mbit,存储器组织:8M x 8
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥11.03
332
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥46.13
1
SAMSUNG(三星)
FBGA-200
¥63.28
34
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
BGA-90
¥46.06
22
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM,存储容量:64Mbit,存储器组织:2M x 32
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥106.65
2
SAMSUNG(三星)
FBGA-200
¥92.68
5
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥205
1251
停产
micron(镁光)
BGA
¥617.143
1001
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR,存储容量:512Mb,存储器组织:32M x 16
停产
micron(镁光)
FBGA-96
¥26.9239
80
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3,存储容量:2Gb,存储器组织:128M x 16
停产
Infineon(英飞凌)
FBGA-24(6x8)
¥21.44
1
存储器类型:易失,存储器格式:PSRAM,技术:PSRAM(伪 SRAM),存储容量:64Mbit,存储器组织:8M x 8
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
TSOP-50-4.4mm
¥42.5262
25
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:DRAM - EDO,存储容量:16Mb,存储器组织:1M x 16
停产
micron(镁光)
FBGA-96
¥110.2
816
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:SDRAM - DDR3L,存储容量:8Gb,存储器组织:512M x 16
ROHM(罗姆)
TSOP-26
¥12.42
0
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:DRAM,存储容量:16Mb,存储器组织:4M x 4
SAMSUNG(三星)
FBGA-96
¥58.85
6
停产
Infineon(英飞凌)
VBGA-24
¥8.92
0
存储器类型:易失,存储器格式:PSRAM,技术:PSRAM(伪 SRAM),存储容量:64Mbit,存储器组织:8M x 8
SAMSUNG(三星)
FBGA-78
¥11.88
0
micron(镁光)
FBGA-96
¥821
400
ROHM(罗姆)
TSOP-26
¥13.27
0
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:DRAM,存储容量:16Mb,存储器组织:4M x 4
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)
TSOP-44-10.2mm
¥17.6302
33
存储器类型:易失,存储器格式:DRAM,技术:DRAM - FP,存储容量:16Mb,存储器组织:1M x 16
Infineon(英飞凌)
VBGA-24
¥39.12
0
SK hynix(海力士)
-
¥91.8841
16
SK hynix(海力士)
-
¥28.3822
50