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K4F8E304HB-MGCJ
SAMSUNG(三星)
200-TFBGA
动态随机存取存储器(DRAM)
存储器类型：易失，存储器格式：DRAM，存储容量：8Gb，存储器组织：256M x 32，存储器接口：并联
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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K4F8E304HB-MGCJ
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SAMSUNG(三星半导体)
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SMD
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512+:￥48.5 128+:￥52.3 30+:￥56.8 1+:￥60.1 |
256 |
20+/21+
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在芯间
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K4F8E304HB-MGCJ
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SAMSUNG(三星半导体)
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TFBGA-200
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1000+:￥42.714 100+:￥43.505 50+:￥44.296 1+:￥47.46 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 存储容量 | 8Gb |
| 存储器组织 | 256M x 32 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 1866 MHz |
| 电压 - 供电 | 1.1V |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 200-TFBGA |