咨询/建议
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：72ns，75ns
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：69ns，79ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：120kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：25kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：65ns，65ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：54ns，54ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：59ns，59ns
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：1，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：高压侧或低压侧，输出类型：N 通道
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.6V ~ 13.2V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1200Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：85ns，85ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1700VDC，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1700VDC，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：59ns，59ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：68ns，68ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：75ns，75ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs（最大），传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：75ns，75ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：105ns，105ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：6000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：65ns，65ns
驱动配置：低边；高边，隔离电压(Vrms)：5700，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：1
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：68ns，68ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：62ns，62ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：20kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：4243Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：25kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：300ns，300ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：25kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
应用：光耦合器驱动器，电流 - 供电：1.9mA，电压 - 供电：3V ~ 20V，工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型