咨询/建议
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：115ns，115ns
隔离电压(Vrms)：3000，通道数：2，输入侧工作电压：3V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
隔离电压(Vrms)：2500，通道数：2，输入侧工作电压：3V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：105ns，105ns
隔离电压(Vrms)：5700，通道数：2，输入侧工作电压：3V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
隔离电压(Vrms)：3750，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：1，输入侧工作电压：2.5V~5.5V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
隔离电压(Vrms)：3000，通道数：1，输入侧工作电压：3.1V~17V，拉电流(IOH)：5A
隔离电压(Vrms)：3000，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：1，输入侧工作电压：3V~17V
隔离电压(Vrms)：5700，通道数：2，拉电流(IOH)：4A，灌电流(IOL)：6A
隔离电压(Vrms)：5700，通道数：2，输入侧工作电压：3V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：65ns，65ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：105ns，105ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 18V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：65ns，65ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.6V ~ 13.2V
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1700VDC，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 5.5V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
隔离电压(Vrms)：5000，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：2，输入侧工作电压：3V~5.5V
隔离电压(Vrms)：2500，通道数：2，输入侧工作电压：3V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：105ns，105ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
驱动配置：半桥，隔离电压(Vrms)：5000，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：2
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 5.5V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：75ns，75ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
隔离电压(Vrms)：5000，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：1，拉电流(IOH)：5.2A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：105ns，105ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns