咨询/建议
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 18V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：2，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：高压侧或低压侧，输出类型：N 通道
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：70ns，70ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：1500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
隔离电压(Vrms)：5700，通道数：2，输入侧工作电压：2.7V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 5.5V
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：59ns，59ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：25kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
驱动配置：半桥；低边；高边，隔离电压(Vrms)：5000，负载类型：IGBT；MOSFET，通道数：2
隔离电压(Vrms)：3000，通道数：2，输入侧工作电压：2.7V~5.5V，拉电流(IOH)：4A
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：72ns，75ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1200Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：4800Vpk，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：68ns，68ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：4000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：2.5V ~ 6.5V
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：25kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
隔离电压(Vrms)：5700，通道数：1，输入侧工作电压：3V~17V，拉电流(IOH)：5A
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：50kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：105ns，105ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：150kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：69ns，79ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：300kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：36ns，36ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：100ns，100ns
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：66ns，66ns
技术：磁耦合，通道数：2，电压 - 隔离：1000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：35kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：160ns，160ns
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：2.5V ~ 6.5V
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：40ns，40ns
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：85ns，85ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：30ns，30ns
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3V ~ 18V