onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.5354
20
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
DO-34
¥0.6955
210
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-74A(SOT-753)
¥0.865
7460
二极管配置:4个共阳极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.8893
122
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):90V,整流电流:100mA
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.92
12677
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-15
¥0.9978
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.3132
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
ROHM(罗姆)
SMD
¥1.3033
1320
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):930 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-323F
¥1.1525
39
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-213AA
¥1.27
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥2.16
15
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):890 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SMD
¥1.74
60
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):990 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥1.6885
5
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-35
¥1.75
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥2.01
0
ROHM(罗姆)
SOT-363
¥2.6
3
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
YANGJIE(扬杰)
TO-247-3
¥5.07
360
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@15A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:30A
Infineon(英飞凌)
TO-220AC-2
¥12.4
102
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.15V@30A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:50A
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
¥5.88
2
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):50A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.15 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥7.1264
153
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.6V@10A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:20A
MICROCHIP(美国微芯)
DO-35
¥8.2307
934
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥7.8108
487
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.6V@15A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:30A
Infineon(英飞凌)
TO-220-2
¥9.0157
329
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.15V@18A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:31A
Infineon(英飞凌)
TO-220AC
¥9.34
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.2V@30A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:60A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥9.5844
249
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.2 V @ 15 A
ST(意法半导体)
DO-247
¥12.882
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.25 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MICROCHIP(美国微芯)
DO-213AA
¥21.9348
22
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥20.412
236
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.1V@40A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:42A
停产
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥22.2
161
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 15 A
MICROCHIP(美国微芯)
D-5D
¥55.35
2
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-323-2
0
onsemi(安森美)
¥0.0418
0
NXP(恩智浦)
¥0.066
18025
NXP(恩智浦)
¥0.035
52145
onsemi(安森美)
TO-220F-3
¥3.81241
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
停产
onsemi(安森美)
DO-41
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.0596
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-79(SOD-523)
¥0.106
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥1.5827
5
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥1.55
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.28 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.6989
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.23
25
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
MCC(美微科)
SOT-523
0
二极管配置:1 对共阴极,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 mA
FH(风华)
SOD-123
¥0.0238
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
UTC(友顺)
SOT-23
¥0.0698
0
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOT-23
¥0.1169
60
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
Comchip(典琦)
SOD-723F
¥0.1988
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):125mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-128
¥0.1449
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-128
¥0.3353
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-221AC(SMA)
¥0.3353
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)